Наши специалисты с радостью ответят на любой интересующий по нашим услугам вопрос.
29 Марта 2016
Toshiba в этом месяце объявила о планах по строительству нового производственного предприятия для изготовления своей флэш-памяти BiCS NAND.
Компания намерена начать производство на новой FAB в 2018 году и в настоящее время не раскрывает запланированную производственную мощность завода. SanDisk пока должен подтвердить свое участие в строительстве нового FAB, но само заявление означает, что, несмотря на продолжающийся финансовый скандал, Toshiba будет оставаться одним крупнейших производителей в мире флэш-памяти NAND.
Toshiba планирует инвестировать около миллиарда ¥ 360 ($ 3233 млн) в период с 2016 по 2018 финансовый год. FAB будет расположен на территории, прилегающей к производственным комплексам памяти Yokkaichi Operations в префектуре Миэ, что означает по сути добавление нового производственного комплекса к Fab 5 (который в настоящее время производит 2D NAND) и к Fab 2. Точные решения относительно графика строительства будут сделаны компанией Toshiba в новом финансовом 2016 году, который начинается в апреле. Строительство производственного предприятия подобного типа обычно занимает около года. Таким образом, план компании Toshiba - начать эксплуатацию нового объекта в 2018 финансовом году (который начинается 1 апреля 2018 года), представляется жизнеспособным.
Новый FAB будет производить только 3D NAND память, которую компания называет BiCS (Bit Cost Scalable) NAND. Toshiba утверждает, что архитектура BiCS NAND является более эффективной с точки зрения размеров матрицы по сравнению с другими типами 3D NAND благодаря своей U-образной форме строк. До сих пор независимые аналитики не сообщали, что 48-слойные 256 Gb TLC BiCS NAND чипы от Toshiba меньше или больше, чем 48-слойные 256 Gb TLC V-NAND чипы от Samsung, но если это окажется так, то Toshiba получит преимущество в виде более низких производственных затрат в течение долгого времени.
В настоящее время у Toshiba и SanDisk уже действуют несколько FABS для энергонезависимой памяти, в том числе крупнейший в мире Fab5 (фазы 1 и 2) на производственном комплексе памяти Yokkaichi Operations в префектуре Миэ. Toshiba и SanDisk планируют запустить производство BiCS NAND на Fab2 и Fab5 в течение следующего года, производство BiCS на Fab 2 запланировано на первую половину 2016 финансового года (то есть с апреля по октябрь 2016 года), и SanDisk начнет преобразование некоторых мощностей Fab5 в 3D-памяти NAND в 2016 году.
Если план компании Toshiba будет реализован, во второй половине календарного 2018 Toshiba будет иметь несколько полупроводниковая производственных мощностей, способных производить память типа NAND BiCS. В то время как объединенные производственные мощности всех трех FAB неизвестны на данный момент, вполне вероятно, что компания будет продолжать производить огромное количество NAND флэш-памяти.
Toshiba и SanDisk совместно производят и продают в настоящее время больше, чем Samsung, но имея в виду агрессивные планы последней по расширению производства полупроводников в ближайшие годы, все может измениться. В прошлом году Samsung объявила о планах инвестировать дополнительные $ 9,2 млрд в расширение своего производственного предприятия вблизи Pyeongtaek, Южная Корея. Последний будет стоить Samsung $ 14,4 млрд и планирует начать операции в 2017 году. В то время как FAB официально предназначен для производства DRAM, ее огромные производственные мощности могут быть использованы для производства других типов полупроводников.
Источник:
http://www.anandtech.com/show/10184/toshiba-to-build-a-new-fab-to-produce-bics-nand-flash
Toshiba планирует инвестировать около миллиарда ¥ 360 ($ 3233 млн) в период с 2016 по 2018 финансовый год. FAB будет расположен на территории, прилегающей к производственным комплексам памяти Yokkaichi Operations в префектуре Миэ, что означает по сути добавление нового производственного комплекса к Fab 5 (который в настоящее время производит 2D NAND) и к Fab 2. Точные решения относительно графика строительства будут сделаны компанией Toshiba в новом финансовом 2016 году, который начинается в апреле. Строительство производственного предприятия подобного типа обычно занимает около года. Таким образом, план компании Toshiba - начать эксплуатацию нового объекта в 2018 финансовом году (который начинается 1 апреля 2018 года), представляется жизнеспособным.
Новый FAB будет производить только 3D NAND память, которую компания называет BiCS (Bit Cost Scalable) NAND. Toshiba утверждает, что архитектура BiCS NAND является более эффективной с точки зрения размеров матрицы по сравнению с другими типами 3D NAND благодаря своей U-образной форме строк. До сих пор независимые аналитики не сообщали, что 48-слойные 256 Gb TLC BiCS NAND чипы от Toshiba меньше или больше, чем 48-слойные 256 Gb TLC V-NAND чипы от Samsung, но если это окажется так, то Toshiba получит преимущество в виде более низких производственных затрат в течение долгого времени.
В настоящее время у Toshiba и SanDisk уже действуют несколько FABS для энергонезависимой памяти, в том числе крупнейший в мире Fab5 (фазы 1 и 2) на производственном комплексе памяти Yokkaichi Operations в префектуре Миэ. Toshiba и SanDisk планируют запустить производство BiCS NAND на Fab2 и Fab5 в течение следующего года, производство BiCS на Fab 2 запланировано на первую половину 2016 финансового года (то есть с апреля по октябрь 2016 года), и SanDisk начнет преобразование некоторых мощностей Fab5 в 3D-памяти NAND в 2016 году.
Если план компании Toshiba будет реализован, во второй половине календарного 2018 Toshiba будет иметь несколько полупроводниковая производственных мощностей, способных производить память типа NAND BiCS. В то время как объединенные производственные мощности всех трех FAB неизвестны на данный момент, вполне вероятно, что компания будет продолжать производить огромное количество NAND флэш-памяти.
Toshiba и SanDisk совместно производят и продают в настоящее время больше, чем Samsung, но имея в виду агрессивные планы последней по расширению производства полупроводников в ближайшие годы, все может измениться. В прошлом году Samsung объявила о планах инвестировать дополнительные $ 9,2 млрд в расширение своего производственного предприятия вблизи Pyeongtaek, Южная Корея. Последний будет стоить Samsung $ 14,4 млрд и планирует начать операции в 2017 году. В то время как FAB официально предназначен для производства DRAM, ее огромные производственные мощности могут быть использованы для производства других типов полупроводников.
Источник:
http://www.anandtech.com/show/10184/toshiba-to-build-a-new-fab-to-produce-bics-nand-flash